- Модель продукта SIZ260DT-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 80V 8.9A 8PWRPAIR
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:2336
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerWDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 4.3W (Ta), 33W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 80V
- Толщина внешнего контактного покрытия 8.9A (Ta), 24.7A (Tc), 8.9A (Ta), 24.6A (Tc)
- Глубина 820pF @ 40V
- Сопротивление при 25°C 24.5mOhm @ 10A, 10V, 24.7mOhm @ 10A, 10V
- Тип симистора 27nC @ 10V
- Барьерный тип 2.4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-PowerPair® (3.3x3.3)