Инвентаризация:9522

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 21A (Ta), 34A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 7.8mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 5W (Ta), 30W (Tc)
  • Барьерный тип 2.3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN-EP (3x3)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±25V
  • 30 V
  • 70 nC @ 10 V
  • 2830 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3L

Инвентаризация: 12574

DIODE ZENER 3.3V 300MW SOD523

Инвентаризация: 29204

MOSFET N-CH 20V 361MA SOT883

Инвентаризация: 115030

IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL SC70-6

Инвентаризация: 147727

Top