Инвентаризация:18587

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® SO-8 Dual
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 46W
  • Внутренняя отделка контактов 12V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 60A
  • Глубина 5000pF @ 6V
  • Сопротивление при 25°C 3.4mOhm @ 20A, 4.5V
  • Тип симистора 120nC @ 10V
  • Барьерный тип 1.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8 Dual

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON

Инвентаризация: 18522

MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON

Инвентаризация: 59230

MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON

Инвентаризация: 56740

MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212

Инвентаризация: 13605

MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8

Инвентаризация: 112029

Top