Инвентаризация:113529

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® SO-8 Dual
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 15.6W
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A
  • Глубина 565pF @ 20V
  • Сопротивление при 25°C 19mOhm @ 10A, 10V
  • Тип симистора 15nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.8V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8 Dual

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON

Инвентаризация: 26102

MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC

Инвентаризация: 10877

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Инвентаризация: 2262

Top