Инвентаризация:3762

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3.1W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8A
  • Глубина 865pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 22mOhm @ 7.5A, 10V
  • Тип симистора 23nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Инвентаризация: 7060

MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC

Инвентаризация: 10877

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Инвентаризация: 481

MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8

Инвентаризация: 112029

Top