Инвентаризация:8560

Технические детали

  • Тип монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.1A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
  • Материал феррулы 750mW (Ta)
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение SOT-23-3 (TO-236)
  • Длина ремня 1.8V, 4.5V
  • Шаг Количество ±8V
  • 12 V
  • 18 nC @ 4.5 V
  • 1100 pF @ 6 V

Сопутствующие товары


IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP

Инвентаризация: 757

MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3

Инвентаризация: 39477

MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Инвентаризация: 52477

MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3

Инвентаризация: 23974

MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3

Инвентаризация: 28206

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Инвентаризация: 2262

MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70

Инвентаризация: 7974

Top