- Модель продукта SI2305CDS-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 5.8A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 35mOhm @ 4.4A, 4.5V
- Материал феррулы 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
- Барьерный тип 1V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-23-3 (TO-236)
- Длина ремня 1.8V, 4.5V
- Шаг Количество ±8V
- 8 V
- 30 nC @ 8 V
- 960 pF @ 4 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 8V SOT23-3
Инвентаризация: 41052
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Инвентаризация: 189092
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Инвентаризация: 13585
MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Инвентаризация: 48663
MOSFET P-CH 8V 4.1A SOT23
Инвентаризация: 15341
MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Инвентаризация: 23087
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Инвентаризация: 23974
MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23
Инвентаризация: 12816
