- Модель продукта NTR2101PT1G
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 8V SOT23-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:42552
Технические детали
- Тип монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 3.7A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
- Материал феррулы 960mW (Ta)
- Барьерный тип 1V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-23-3 (TO-236)
- Длина ремня 1.8V, 4.5V
- Шаг Количество ±8V
- 8 V
- 15 nC @ 4.5 V
- 1173 pF @ 4 V