- Модель продукта FDN306P
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:29219
Технические детали
- Тип монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 2.6A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
- Материал феррулы 500mW (Ta)
- Барьерный тип 1.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-23-3
- Длина ремня 1.8V, 4.5V
- Шаг Количество ±8V
- 12 V
- 17 nC @ 4.5 V
- 1138 pF @ 6 V