- Модель продукта SI2308BDS-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:53977
Технические детали
- Тип монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 2.3A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 156mOhm @ 1.9A, 10V
- Материал феррулы 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-23-3 (TO-236)
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 6.8 nC @ 10 V
- 190 pF @ 30 V