- Модель продукта SIR610DP-T1-RE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6804
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 35.4A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 31.9mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 104W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 7.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 200 V
- 38 nC @ 10 V
- 1380 pF @ 100 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 120V 37A 8TSDSON
Инвентаризация: 8590
MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Инвентаризация: 7668
MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT
Инвентаризация: 0
