- Модель продукта SIR690DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 34.4A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 35mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 104W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 7.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 200 V
- 37 nC @ 7.5 V
- 1935 pF @ 100 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
Инвентаризация: 11611
MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
Инвентаризация: 17323
MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
Инвентаризация: 6335
MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Инвентаризация: 5304
MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8
Инвентаризация: 5783
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Инвентаризация: 6392
MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Инвентаризация: 77
