- Модель продукта SIR624DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 18.6A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 60mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 52W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 7.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 200 V
- 23 nC @ 7.5 V
- 1110 pF @ 100 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN
Инвентаризация: 10590
MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Инвентаризация: 7423
MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Инвентаризация: 5304
MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
Инвентаризация: 349
MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8
Инвентаризация: 5783
N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P
Инвентаризация: 0
