- Модель продукта SIR632DP-T1-RE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 29A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 34.5mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 69.5W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 7.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 150 V
- 17 nC @ 7.5 V
- 740 pF @ 75 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 150V 13.5A/52A 8DFN
Инвентаризация: 6686
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Инвентаризация: 1773
MOSFET, N-CH, SINGLE, 25A, 150V,
Инвентаризация: 2779
MOSFET N-CH 150V 12.6A PPAK
Инвентаризация: 6602
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Инвентаризация: 16376
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S)
Инвентаризация: 27534
