- Модель продукта SIR622DP-T1-RE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 150V 12.6A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:8102
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 12.6A (Ta), 51.6A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 17.7mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 6.25W (Ta), 104W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 7.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 150 V
- 41 nC @ 10 V
- 1516 pF @ 75 V