- Модель продукта SQJA20EP-T1_GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:7283
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 22.5A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 68W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 7.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 200 V
- 27 nC @ 10 V
- 1300 pF @ 25 V
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23
Инвентаризация: 44703
MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
Инвентаризация: 126475
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
Инвентаризация: 3686
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
