- Модель продукта QS8J4TR
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Инвентаризация:8923
Технические детали
- Тип монтажа 8-SMD, Flat Leads
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 P-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 550mW
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 4A
- Глубина 800pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 56mOhm @ 4A, 10V
- Тип симистора 13nC @ 10V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 2.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение TSMT8
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Инвентаризация: 9930
MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
Инвентаризация: 7075
MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
