- Модель продукта QS6K1TR
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:11430
Технические детали
- Тип монтажа SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 1.25W
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 1A
- Глубина 77pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 238mOhm @ 1A, 4.5V
- Тип симистора 2.4nC @ 4.5V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 1.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение TSMT6 (SC-95)