- Модель продукта QS6J11TR
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:4143
Технические детали
- Тип монтажа SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 P-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 600mW
- Внутренняя отделка контактов 12V
- Толщина внешнего контактного покрытия 2A
- Глубина 770pF @ 6V
- Сопротивление при 25°C 105mOhm @ 2A, 4.5V
- Тип симистора 6.5nC @ 4.5V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 1V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение TSMT6 (SC-95)