- Модель продукта FDC6401N
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:16136
Технические детали
- Тип монтажа SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 700mW
- Внутренняя отделка контактов 20V
- Толщина внешнего контактного покрытия 3A
- Глубина 324pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 70mOhm @ 3A, 4.5V
- Тип симистора 4.6nC @ 4.5V
- Барьерный тип 1.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SuperSOT™-6
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON
Инвентаризация: 11946
MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Инвентаризация: 12004
MOSFET N/P-CH 60V 0.51A SSOT6
Инвентаризация: 7384
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Инвентаризация: 8143
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Инвентаризация: 47641
