- Модель продукта SI3900DV-T1-E3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:49141
Технические детали
- Тип монтажа SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 830mW
- Внутренняя отделка контактов 20V
- Толщина внешнего контактного покрытия 2A
- Сопротивление при 25°C 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
- Тип симистора 4nC @ 4.5V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 1.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 6-TSOP