Инвентаризация:13111

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 52A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 22mOhm @ 52A, 10V
  • Материал феррулы 214W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 137µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TSON-8-3
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 200 V
  • 43 nC @ 10 V
  • 3680 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


SENSOR CURRENT HALL 10A DC

Инвентаризация: 11234

MOSFET N-CH 150V 87A TDSON

Инвентаризация: 5529

MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1

Инвентаризация: 6335

DIODE ZENER 150V 1W SOD123W

Инвентаризация: 7561

MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF

Инвентаризация: 4218

Top