- Модель продукта IPT111N20NFDATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5718
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerSFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 96A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 11.1mOhm @ 96A, 10V
- Материал феррулы 375W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 267µA
- Максимальное переменное напряжение PG-HSOF-8-1
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 200 V
- 87 nC @ 10 V
- 7000 pF @ 100 V