Инвентаризация:10090

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 37A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 24mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 66W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 35µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TSDSON-8
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 120 V
  • 27 nC @ 10 V
  • 1900 pF @ 60 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1

Инвентаризация: 12168

MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8

Инвентаризация: 5304

Top