Инвентаризация:13198

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 52W
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A
  • Глубина 432pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 43mOhm @ 3A, 10V
  • Тип симистора 8.8nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerFlat™ (5x6)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERFLAT

Инвентаризация: 6000

MOSFET 2N-CH 60V 10A POWERFLAT

Инвентаризация: 0

Top