Инвентаризация:8197

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 60W
  • Внутренняя отделка контактов 100V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A
  • Глубина 1755pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 22mOhm @ 17A, 10V
  • Тип симистора 27nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.1V @ 25µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-4
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON

Инвентаризация: 29448

MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 21897

MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 39512

OPTIMOS 5 POWER MOSFET

Инвентаризация: 0

P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 100V 20A POWERFLAT

Инвентаризация: 2867

Top