Инвентаризация:23397

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount, Wettable Flank
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 60W
  • Внутренняя отделка контактов 100V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A
  • Глубина 1755pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 22mOhm @ 17A, 10V
  • Тип симистора 27nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.1V @ 25µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-10

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 100V 13A PWRDI50

Инвентаризация: 2500

MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 6697

MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 39512

MOSFET 2N-CH 100V 9.3A PPAK SO8

Инвентаризация: 10443

Top