Инвентаризация:4000

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.5W (Ta), 93W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 100V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 13A (Ta), 59A (Tc)
  • Глубина 1986pF @ 50V
  • Сопротивление при 25°C 17.4mOhm @ 17A, 10V
  • Тип симистора 28.6nC @ 10V
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8 (Type E)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50

Инвентаризация: 2470

MOSFET 2N-CH 100V 59A POWERDI50

Инвентаризация: 2304

MOSFET 2N-CH 40V 10.6A POWERDI50

Инвентаризация: 2500

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333

Инвентаризация: 2000

MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 6697

MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 39512

Top