- Модель продукта DMT10H017LPD-13
- Бренд Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:3970
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2.2W (Ta), 78W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 100V
- Толщина внешнего контактного покрытия 54.7A (Tc)
- Глубина 1986pF @ 50V
- Сопротивление при 25°C 17.4mOhm @ 17A, 10V
- Тип симистора 28.6nC @ 10V
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8
- Диаметр - Плечо Automotive
- AEC-Q101