Инвентаризация:3970

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2.2W (Ta), 78W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 100V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 54.7A (Tc)
  • Глубина 1986pF @ 50V
  • Сопротивление при 25°C 17.4mOhm @ 17A, 10V
  • Тип симистора 28.6nC @ 10V
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


DIODE ZENER 62V 1.5W SMA

Инвентаризация: 25939

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

Инвентаризация: 235988

MOSFET 2N-CH 100V 13A PWRDI50

Инвентаризация: 2500

MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333

Инвентаризация: 2195

MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 6697

ZENER DIODE SOD123 T&R 3K

Инвентаризация: 3000

Top