Инвентаризация:4000

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2.41W (Ta), 42.8W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
  • Глубина 733pF @ 20V
  • Сопротивление при 25°C 15mOhm @ 20A, 10V
  • Тип симистора 10.2nC @ 10V
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 100V 13A PWRDI50

Инвентаризация: 2500

Top