Технические детали

• Тип монтажа 8-PowerTDFN
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 2.6W (Ta), 93W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 100V
• Толщина внешнего контактного покрытия 59A (Tc)
• Глубина 1986pF @ 50V
• Сопротивление при 25°C 17.4mOhm @ 17A, 10V
• Тип симистора 28.6nC @ 10V
• Барьерный тип 3V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8 (Type E)