Инвентаризация:11943

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® SO-8 Dual
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3.6W (Ta), 33.8W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 100V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9.3A (Ta), 28.7A (Tc)
  • Глубина 1266pF @ 50V
  • Сопротивление при 25°C 18.6mOhm @ 10A, 10V
  • Тип симистора 26.5nC @ 10V
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8 Dual

Сопутствующие товары


TRANS PNP 45V 0.1A SOT523

Инвентаризация: 2917

MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 21897

MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK

Инвентаризация: 5406

MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 100V 34A PPAK SO8

Инвентаризация: 8975

MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8

Инвентаризация: 3857

Top