- Модель продукта SQJB80EP-T1_GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:5357
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8 Dual
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 48W
- Внутренняя отделка контактов 80V
- Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
- Глубина 1400pF @ 25V
- Сопротивление при 25°C 19mOhm @ 8A, 10V
- Тип симистора 32nC @ 10V
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8 Dual
- Диаметр - Плечо Automotive
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
DIODE ZENER 7.5V 1.5W SMA
Инвентаризация: 10590
SENSOR CURRENT HALL 50A 8SOIC
Инвентаризация: 4665
SENSOR HUMIDITY 100 RH SMD
Инвентаризация: 22836
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 3348
MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
Инвентаризация: 10212
