- Модель продукта SQJB60EP-T1_GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:11712
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8 Dual
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 48W
- Внутренняя отделка контактов 60V
- Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
- Глубина 1600pF @ 25V
- Сопротивление при 25°C 12mOhm @ 10A, 10V
- Тип симистора 30nC @ 10V
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8 Dual
- Диаметр - Плечо Automotive
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23
Инвентаризация: 8567
MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
Инвентаризация: 4430
MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
Инвентаризация: 3857
TERMINAL BLOCK, SCREW TYPE, 7.62
Инвентаризация: 370
