Инвентаризация:28386

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 43W
  • Внутренняя отделка контактов 55V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A
  • Глубина 410pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 65mOhm @ 15A, 10V
  • Тип симистора 12nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2V @ 14µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-4
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3

Инвентаризация: 156338

MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 13998

MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 39512

Top