Инвентаризация:15498

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount, Wettable Flank
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 43W
  • Внутренняя отделка контактов 55V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A
  • Глубина 410pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 65mOhm @ 15A, 10V
  • Тип симистора 12nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2V @ 14µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-10
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363

Инвентаризация: 94740

MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON

Инвентаризация: 17650

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31

Инвентаризация: 14221

MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 13069

MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 26886

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 17561

MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 39512

Top