Инвентаризация:14569

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 41W
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A
  • Глубина 1990pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 11.6mOhm @ 17A, 10V
  • Тип симистора 26nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.2V @ 15µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-4
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC

Инвентаризация: 1060579

MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33

Инвентаризация: 9665

MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 26886

MOSFET 2N-CH 40V 25A DFN

Инвентаризация: 5060

MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8

Инвентаризация: 112029

TRANS NPN 25V 1.5A SOT23

Инвентаризация: 4098000

25V 300MW 1.5A 100MHZ 500MV@800M

Инвентаризация: 80

TRANS NPN 25V 1.5A SOT23

Инвентаризация: 2994

Small Signal Transistor

Инвентаризация: 3000

Top