- Модель продукта BSZ15DC02KDHXTMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:19150
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel Complementary
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2.5W
- Внутренняя отделка контактов 20V
- Толщина внешнего контактного покрытия 5.1A, 3.2A
- Глубина 419pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
- Тип симистора 2.8nC @ 4.5V
- Тип подключения Logic Level Gate, 2.5V Drive
- Барьерный тип 1.4V @ 110µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TSDSON-8-FL
- Диаметр - Плечо Automotive
- AEC-Q101