- Модель продукта IPG16N10S4L61AATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:15519
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount, Wettable Flank
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 29W
- Внутренняя отделка контактов 100V
- Толщина внешнего контактного покрытия 16A
- Глубина 845pF @ 25V
- Сопротивление при 25°C 61mOhm @ 16A, 10V
- Тип симистора 11nC @ 10V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 2.1V @ 90µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-10
- Диаметр - Плечо Automotive
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
TRAN NPN/PNP 45V 0.1A SC88/SC70
Инвентаризация: 86537
MOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSON
Инвентаризация: 30491
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Инвентаризация: 1000
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Инвентаризация: 39512
