Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
• Смываемый 167W
• Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
• Толщина внешнего контактного покрытия 29.5A (Tc)
• Глубина 900pF @ 800V
• Сопротивление при 25°C 98mOhm @ 20A, 20V
• Тип симистора 61.5nC @ 20V
• Барьерный тип 2.2V @ 1mA (Typ)
• Максимальное переменное напряжение Module