Инвентаризация:1503

Технические детали

  • Тип монтажа Module
  • Количество витков Chassis Mount
  • Скорость 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
  • Смываемый 395W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
  • Толщина внешнего контактного покрытия 89A (Tc)
  • Глубина 3020pF @ 1000V
  • Сопротивление при 25°C 31mOhm @ 40A, 20V
  • Тип симистора 232nC @ 20V
  • Барьерный тип 2.8V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение SP3F

Сопутствующие товары


SIC 6N-CH 1200V 51A MODULE

Инвентаризация: 59

MOSFET 6N-CH 1200V 87A MODULE

Инвентаризация: 0

SIC 6N-CH 1700V 64A

Инвентаризация: 0

Top