Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
• Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
• Смываемый 319W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 1700V (1.7kV)
• Толщина внешнего контактного покрытия 64A (Tc)
• Глубина 3300pF @ 1000V
• Сопротивление при 25°C 45mOhm @ 30A, 20V
• Тип симистора 178nC @ 20V
• Барьерный тип 3.2V @ 2.5mA