Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
• Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
• Смываемый 337W
• Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
• Толщина внешнего контактного покрытия 87A (Tc)
• Глубина 2810pF @ 800V
• Сопротивление при 25°C 34mOhm @ 50A, 20V
• Тип симистора 180nC @ 20V
• Барьерный тип 2.3V @ 2.5mA
• Максимальное переменное напряжение Module