- Модель продукта SCTH70N120G2V-7
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 90A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 50A, 18V
- Материал феррулы 469W (Tc)
- Барьерный тип 4.9V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение H2PAK-7
- Длина ремня 18V
- Шаг Количество +22V, -10V
- 1200 V
- 150 nC @ 18 V
- 3540 pF @ 800 V
Сопутствующие товары
SIC DISCRETE
Инвентаризация: 0
SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE
Инвентаризация: 628
SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
Инвентаризация: 0
1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Инвентаризация: 925
1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Инвентаризация: 1000
SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Инвентаризация: 1704
SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Инвентаризация: 0
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Инвентаризация: 0
SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7
Инвентаризация: 0
TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
Инвентаризация: 0
