Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 46A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 60mOhm @ 17.6A, 15V
  • Материал феррулы 150W (Tc)
  • Барьерный тип 3.6V @ 4.84mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +19V, -8V
  • 650 V
  • 64 nC @ 15 V
  • 1593 pF @ 400 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L

Инвентаризация: 879

GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 900V 73A TO247-4

Инвентаризация: 2190

GEN 3 650V 49A SIC MOSFET

Инвентаризация: 19

SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I

Инвентаризация: 0

SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 242

SIC, MOSFET, 21M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 0

SIC, MOSFET, 40M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 316

SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 400

Top