Инвентаризация:6463

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 10.4A (Tc)
  • Материал феррулы 52W (Tc)
  • Барьерный тип 1.6V @ 690µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TSON-8-7
  • Шаг Количество -10V
  • 600 V
  • 110 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


650V, 11A, N-CHANNEL GAN FET IN

Инвентаризация: 2461

650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE

Инвентаризация: 2376

GANFET N-CH 650V 15A TO220

Инвентаризация: 88

GANFET N-CH

Инвентаризация: 1489

GAN HV PG-LSON-8

Инвентаризация: 0

GAN HV

Инвентаризация: 4106

GAN HV

Инвентаризация: 4892

650 V 95 A GAN FET

Инвентаризация: 713

GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6

Инвентаризация: 3791

Top