Инвентаризация:2979

Технические детали

  • Тип монтажа 14-PowerLDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внутренняя отделка контактов 650V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 13A
  • Глубина 92.7pF @ 400V
  • Тип симистора 2.75nC @ 6V
  • Барьерный тип 2.2V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение 14-PQFN (6x8)

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE

Инвентаризация: 5973

GANFET 2N-CH 80V 28A DIE

Инвентаризация: 5983

GANFET 2N-CH 100V 23A DIE

Инвентаризация: 4416

GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE

Инвентаризация: 14425

650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 650V 32A 9ACEPACK

Инвентаризация: 222

GANFET 2N-CH 650V 30QFN

Инвентаризация: 90

GANFET 2N-CH 650V 30QFN

Инвентаризация: 57

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

Инвентаризация: 590

Top