Технические детали

• Тип монтажа 30-PowerWFQFN
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
• Внутренняя отделка контактов 650V
• Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Tc)
• Глубина 55pF @ 400V
• Сопротивление при 25°C 236mOhm @ 500mA, 6V
• Тип симистора 1.5nC @ 6V
• Барьерный тип 2.5V @ 5.5mA
• Максимальное переменное напряжение 30-QFN (8x10)