- Модель продукта TP44110HB
- Бренд Tagore Technology
- RoHS Yes
- Описание GANFET 2N-CH 650V 30QFN
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 30-PowerWFQFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внутренняя отделка контактов 650V
- Толщина внешнего контактного покрытия 19A (Tc)
- Глубина 110pF @ 400V
- Сопротивление при 25°C 118mOhm @ 500mA, 6V
- Тип симистора 3nC @ 6V
- Барьерный тип 2.5V @ 11mA
- Максимальное переменное напряжение 30-QFN (8x10)
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 650V 32A 9ACEPACK
Инвентаризация: 222
GAN FET HEMT 650V .118OHM 22QFN
Инвентаризация: 2969
GAN FET HEMT 650V .236OHM 22QFN
Инвентаризация: 2983
GANFET 2N-CH 650V 30QFN
Инвентаризация: 90
GAN FET HEMT 650V .36OHM 22QFN
Инвентаризация: 2960
GANFET 2N-CH 650V 30QFN
Инвентаризация: 57
