Технические детали

• Тип монтажа 9-PowerSMD
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 208W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 650V
• Толщина внешнего контактного покрытия 32A (Tc)
• Глубина 2211pF @ 100V
• Сопротивление при 25°C 97mOhm @ 23A, 10V
• Тип симистора 47nC @ 10V
• Барьерный тип 4.75V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 9-ACEPACK SMIT